テクノロジー
「高性能なのに普及しない」GaN半導体。長年エンジニアを悩ませた“速すぎて壊れる”ジレンマを米国立研究所が解決
データセンターの電力密度が急増し、従来のシリコン半導体では対応しきれない課題に対し、オークリッジ国立研究所がロームのGaN半導体デバイスを用いた標準化モジュールを開発した。このモジュールは、GaNの高速スイッチング性能を阻害する寄生インダクタンスの問題を解決し、AIデータセンターやEVなど多様な用途で高効率・高電力密度を実現する共通解となる。
Tech Product
EcoGaN
別名: EcoGaNシリーズ
Overview
最終更新: 2026年7月9日EcoGaNは、ロームが開発・提供する窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの製品ブランドである。従来のシリコンデバイスでは困難だった高速スイッチングと低オン抵抗を両立し、アプリケーションの劇的な省エネと小型化を実現することを目的としている。製品ラインアップには、汎用性の高いディスクリート製品（Power Discrete）から、ゲートドライバを統合して設計を容易にしたIC製品（Power ICs）、さらに周辺部品を1パッケージに収めたSiP（Power SiP）まで含まれる。特に高周波動作時の信頼性と使いやすさに重点を置いて設計されており、データセンター、ベースステーション、急速充電器などの高効率電源ユニットに採用されている。