
TSMC、77%増益で粗利率67.7%:2nm増産下で設備投資最大640億ドルへ
TSMCの2026年第2四半期決算は、AI向け需要の拡大とコスト改善により純利益が前年同期比77.4%増と大幅に伸長した。同社は強気な需要予測に基づき、設備投資額を最大640億ドルへ引き上げ、アリゾナ州への追加投資も進める方針である。
別名: GaN, 窒化ガリウム, Gallium Nitride
従来のシリコン(Si)と比較して、バンドギャップが広く、高い絶縁破壊電界と電子飽和速度を持つ化合物半導体。電力変換効率が極めて高く、デバイスの小型化と放熱性能の向上を同時に実現できるため、AIサーバー、電気自動車(EV)、急速充電器などの次世代パワーエレクトロニクスにおける中核素材として注目されている。

TSMCの2026年第2四半期決算は、AI向け需要の拡大とコスト改善により純利益が前年同期比77.4%増と大幅に伸長した。同社は強気な需要予測に基づき、設備投資額を最大640億ドルへ引き上げ、アリゾナ州への追加投資も進める方針である。

韓国政府は次世代パワー半導体を国家の重要課題に掲げ、官民で約7500億ウォンを投じる研究開発計画を始動させた。AIや電動化に伴う需要増を見据え、海外依存度の高い化合物半導体の国産化と量産技術の確立を急ぎ、第2のメモリ産業への育成を目指す。

次世代通信の要である窒化ガリウム素子の熱問題を解決するため、MITの研究チームは単結晶ダイヤモンド基板に素子を物理的にはめ込む新技術を開発した。熱ダメージや性能低下を招く従来手法を排し、効率的な放熱と高出力を両立させ、6Gの実現に道を拓く。

ASUSはComputex 2026において、ROG設立20周年を記念する特別モデル「Edition 20」シリーズを発表した。最大800Wを消費する『RTX 5090』や、それを支える『3000W電源』など、コンシューマー向けPCの常識を覆す次世代ハイエンド製品群の極限設計とその影響とは。

フリンダース大学とハリファ大学の共同研究チームは、次世代半導体材料の探索におけるボトルネックを打破するため、ベイズ最適化を用いた「スマート材料発見エンジン」を開発した。このエンジンは、膨大な化学空間からガリウムベースの新規半導体を効率的に逆設計し、特定のバンドギャップを持つ材料を高速で特定可能であり、材料科学に新たなパラダイムをもたらす。

データセンターの電力密度が急増し、従来のシリコン半導体では対応しきれない課題に対し、オークリッジ国立研究所がロームのGaN半導体デバイスを用いた標準化モジュールを開発した。このモジュールは、GaNの高速スイッチング性能を阻害する寄生インダクタンスの問題を解決し、AIデータセンターやEVなど多様な用途で高効率・高電力密度を実現する共通解となる。

現代のエレクトロニクスが直面している最大の障壁、それは当サイトでも何度もご紹介しているように、「熱」である。人工知能(AI)を支える巨大なデータセンター、次世代通信規格5Gのインフラ、そして高性能なレーダーシステムに至る […]

2026年2月、中国の窒化ガリウム(GaN)半導体メーカーの雄、InnoScience(Suzhou)Technology Holding(以下、Innoscience:英諾賽科)が、GoogleのAIハードウェアプラッ […]

PC、スマートフォン、タブレット、ワイヤレスイヤホン。現代の我々の生活は、数多くのデジタルガジェットによって支えられている。しかし、その数に比例して増え続けるのが「充電器」の存在だ。複数のACアダプタがかさばり、コンセン […]

METLEN Energy & Metals(METLEN)は、欧州連合(EU)初となるガリウム生産ラインの設立を含む、総額2億9,550万ユーロの大規模投資計画を発表した。この画期的なプロジェクトは、欧州の重要 […]