GaN半導体

窒化ガリウム（GaN）を用いた次世代のパワー半導体デバイスです。従来のシリコン（Si）と比較してバンドギャップが広く、高い絶縁破壊電界強度と電子移動度を持つことが特徴です。これにより、デバイスの小型化、高効率化、そしてMHz帯での高速スイッチングが可能になります。データセンターの電源ユニット、電気自動車（EV）の車載充電器、太陽光発電のマイクロインバータ、スマートフォンの急速充電器など、電力密度の向上と省エネルギーが求められる分野で急速に採用が進んでいます。一方で、高速動作ゆえにパッケージの寄生インダクタンスによる電圧スパイクの影響を受けやすいという設計上の課題も抱えています。