相変化メモリ

相変化材料（主にカルコゲナイドガラス）が熱によって結晶状態（低抵抗）とアモルファス状態（高抵抗）の間を可逆的に転移する性質を利用したメモリ。不揮発性でありながら、DRAMに近い高速動作と高い書き換え寿命が期待されている。