サイエンス
コイルという制約からの解放。分子メモリスタが切り拓く「創発インダクタンス」のパラダイム
理化学研究所などの共同研究チームは、分子性モット絶縁体を用いたメモリスタにおいて、外部コイルなしで最大10万ヘンリーを超える巨大なインダクタンスが発現する現象を実証した。これは、電子の遅いダイナミクスと履歴依存性が巨視的な慣性として機能する「創発インダクタンス」であり、従来のコイルの約10万倍の規模で、電子回路の設計思想を根本から変える可能性を秘めている。
別名: Negative Resistance
負性抵抗は、ある電圧範囲において、印加する電圧を増加させたときに流れる電流が減少する現象を指す。オームの法則に従う通常の抵抗器では電圧と電流は比例するが、負性抵抗を示す素子では電流・電圧特性が右下がりの勾配を持つ。この特性は、エネルギーを消費するのではなく回路に供給するような振る舞いを可能にし、増幅器や自励発振回路、高速スイッチング素子などの特定の電子回路設計において極めて重要な役割を果たす。