
サイエンス
半導体工場の「ありふれた材料」が低消費電力メモリの主役になるか
日焼け止めや顔料に使われる二酸化チタンを厚さ3 nm以下に薄膜化すると、強誘電相が出現する。薄膜化するほど分極が強くなる「逆サイズ効果」を利用したこの発見は、半導体製造との親和性が高く、低消費電力メモリへの道を開く可能性がある。
別名: Ferroelectric
強誘電体は、外部からの電場によって電気的な分極が生じ、その電場が除去された後も分極状態を保持できる特性を持つ材料です。このヒステリシス特性により、強誘電体は不揮発性メモリの記憶素子として利用できます。特に、低電圧での高速な分極反転が可能であるため、FeFET(強誘電体電界効果トランジスタ)などの次世代メモリ技術において、低消費電力化と高密度化を実現する鍵となる材料として研究が進められています。

日焼け止めや顔料に使われる二酸化チタンを厚さ3 nm以下に薄膜化すると、強誘電相が出現する。薄膜化するほど分極が強くなる「逆サイズ効果」を利用したこの発見は、半導体製造との親和性が高く、低消費電力メモリへの道を開く可能性がある。

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