強誘電体電界効果トランジスタ

ゲート絶縁膜の一部に強誘電体材料を利用したトランジスタ。外部電界によって分極を反転させ、電圧を取り除いた後も状態を保持できるため、メモリと論理回路を統合したインメモリ・コンピューティングの実現に期待されている。非破壊読み出しやナノ秒単位の高速書き込みが可能。