二硫化モリブデン

シリコン限界の救世主か。東大チームが開発した「1nm極細チューブ」が次世代半導体の常識を覆す

東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。

EVの常識が変わる。6分で85%充電を可能にした「界面触媒」の衝撃

「霧を透視するAIの眼」の量産へ。0次元と2次元の境界で光を増幅する次世代SWIRセンサー

韓国の研究チームが、高価な特殊合金を用いずに短波赤外線（SWIR）信号を増幅するハイブリッドフォトセンサーを開発した。ナノスケールの量子ドットと二次元半導体を融合させることで、自動運転や医療画像診断における悪天候時の視界確保、高コストな既存センサーの課題解決に貢献する。

印刷できる人工ニューロンが生きた脳細胞との直接対話に成功

ノースウェスタン大学の研究チームは、二硫化モリブデンとグラフェンを用いた電子インクで、脳の神経細胞と直接接続し物理的に作動させる「印刷可能な人工ニューロン」を開発した。この技術は、現在のAIが抱える熱力学的な限界を打ち破り、脳と機械を直接繋ぐインターフェースの未来を書き換える可能性を秘めている。

光変換効率が従来の1万倍に。ファンデルワールス材料が拓く「次世代フォトニックチップ」の衝撃

アアルト大学と北京大学の国際研究チームは、極薄で脆いファンデルワールス材料にアルミニウムの保護層を施してから微細加工を施すことで、光回路の主役となるナノ構造を形成する新技術を開発した。このブレイクスルーにより、電子回路の限界を克服し、高速かつ省電力な次世代光コンピューティングの実現に道が開かれる。

エネルギー消費を1/10に抑える次世代強誘電体トランジスタ（FeFET）の開発に成功：世界最小1nmゲートがAIチップの限界を突破する

人工知能（AI）の進化が加速する現代において、計算能力の向上と消費電力の削減は、半導体業界が直面する最も切実な課題である。とりわけ、膨大なデータを処理するAIチップは、桁外れの電力を消費しており、そのエネルギー効率の改善 […]

160ナノメートルの革命：量子チップを極限まで小型化する「2次元物質×メタサーフェス」の融合

量子コンピュータの実用化に向けた競争において、ハードウェアの「サイズ」は計算能力と同等に重要な課題である。現在の量子ビット（qubit）源はセンチメートル単位の大きさがあり、大規模なシステムを構築するには部屋全体を占有す […]

世界初の2D材料コンピュータが切り拓く次世代半導体の夜明け

長らくエレクトロニクス業界の絶対的な王座に君臨してきたシリコンは、その微細化の限界に直面している。短チャネル効果や熱放散といった物理的な障壁が、ムーアの法則の終焉を現実のものとしつつあるのだ。しかし、この半導体業界の「大 […]

MIT、画期的な3D積層半導体チップの製造技術を開発 – AIハードウェアの革新へ

MITの研究チームが、シリコンウェハー基盤を必要としない革新的な3D積層チップの製造技術を開発した。Nature誌に発表されたこの研究成果は、AIハードウェアの性能を飛躍的に向上させる可能性を秘めており、現代のスーパーコ […]

1nm未満のトランジスタを「成長」させる方法が見つかり、次世代半導体開発に弾み

韓国の研究チームが、1nm（ナノメートル）未満の1次元金属材料を用いて超微細トランジスタを製造する事に成功した。この画期的な成果は、次世代半導体技術だけでなく、基礎材料科学にとって大きなブレークスルーとなる。 従来の限界 […]