
テクノロジー
ASML、TSMC、imecが2D材料トランジスタの300mmウェハー統合に成功:50nmピッチ到達が切り拓くポストシリコン時代
シリコンの限界を突破する次世代材料として、原子レベルで薄い2D材料を用いたトランジスタが注目されている。imecらの共同研究により、300mmウェハー上で業界標準の微細な統合プロセスが実証され、量産化に向けた大きな一歩を記した。
別名: WSe2
タングステンとセレンからなる遷移金属ダイカルコゲナイドの一種。2次元材料の中では珍しく、正孔をキャリアとするp型トランジスタとして優れた動作特性を示す。二硫化モリブデン(MoS2)などのn型材料と組み合わせることで、低消費電力な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)論理回路を構成することが可能となり、2次元材料ベースの集積回路実現における鍵を握る物質である。

シリコンの限界を突破する次世代材料として、原子レベルで薄い2D材料を用いたトランジスタが注目されている。imecらの共同研究により、300mmウェハー上で業界標準の微細な統合プロセスが実証され、量産化に向けた大きな一歩を記した。

半導体の発熱問題がAI進化の足かせとなる中、モナッシュ大学が「熱を持たない演算基盤」の鍵となる完全統合型の光ナノ回路を開発した。巨大な冷却設備を必要とせず、室温で光の生成・制御・読み取りを自律的に行うこの画期的なバレートロニクス・チップは、次世代情報処理の歴史的転換点となる。

長らくエレクトロニクス業界の絶対的な王座に君臨してきたシリコンは、その微細化の限界に直面している。短チャネル効果や熱放散といった物理的な障壁が、ムーアの法則の終焉を現実のものとしつつあるのだ。しかし、この半導体業界の「大 […]

MITの研究チームが、シリコンウェハー基盤を必要としない革新的な3D積層チップの製造技術を開発した。Nature誌に発表されたこの研究成果は、AIハードウェアの性能を飛躍的に向上させる可能性を秘めており、現代のスーパーコ […]