
サイエンス
サブ1nmノードを拓く2次元半導体:MoS2ウェハーの「自己整合」と「界面浄化」がもたらす転写レス製造革命
シリコンの微細化限界を打破するため、二硫化モリブデンの単結晶をウェハー規模で合成する新技術が開発された。自己整合的な結晶成長と膜厚の自動停止機構により、欠陥の極めて少ない原子層厚の半導体膜が実現し、次世代デバイスの実用化に大きく前進した。
別名: Short-channel effects
半導体素子の微細化に伴い、ゲート電極によるチャネルの制御力が弱まり、閾値電圧の低下やオフ電流の増大を招く物理現象。従来のシリコンデバイスにおける微細化の主要な障壁となっている。

シリコンの微細化限界を打破するため、二硫化モリブデンの単結晶をウェハー規模で合成する新技術が開発された。自己整合的な結晶成長と膜厚の自動停止機構により、欠陥の極めて少ない原子層厚の半導体膜が実現し、次世代デバイスの実用化に大きく前進した。

シリコンの限界を突破する次世代材料として、原子レベルで薄い2D材料を用いたトランジスタが注目されている。imecらの共同研究により、300mmウェハー上で業界標準の微細な統合プロセスが実証され、量産化に向けた大きな一歩を記した。

東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。

人工知能(AI)の進化が加速する現代において、計算能力の向上と消費電力の削減は、半導体業界が直面する最も切実な課題である。とりわけ、膨大なデータを処理するAIチップは、桁外れの電力を消費しており、そのエネルギー効率の改善 […]