サイエンス
シリコン限界の救世主か。東大チームが開発した「1nm極細チューブ」が次世代半導体の常識を覆す
東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。
別名: Short-channel effects
半導体素子の微細化に伴い、ゲート電極によるチャネルの制御力が弱まり、閾値電圧の低下やオフ電流の増大を招く物理現象。従来のシリコンデバイスにおける微細化の主要な障壁となっている。
東京大学の中西准教授らは、窒化ホウ素ナノチューブを鋳型に用いることで、直径1ナノメートルの極細な二硫化モリブデンナノチューブの合成に成功した。この手法は、原子配列が均一で安定した半導体特性を持つため、次世代の極小トランジスタ実現への道を切り拓く。
人工知能(AI)の進化が加速する現代において、計算能力の向上と消費電力の削減は、半導体業界が直面する最も切実な課題である。とりわけ、膨大なデータを処理するAIチップは、桁外れの電力を消費しており、そのエネルギー効率の改善 […]