
サイエンス
銅の電気抵抗を100万分の一に。NUSとApplied Materialsが開発した「原子一枚」の魔法の保護層
半導体の微細化に伴い、銅配線の保護層が占める割合が増大し電気抵抗が悪化する課題に対し、研究チームは厚さわずか0.7ナノメートルの二次元材料を採用した。この薄膜は銅の漏出を防ぎつつ平滑な形成を促し、電気抵抗を劇的に低減することに成功した。
別名: ALD
気相から原子層を1層ずつ積み上げて薄膜を形成する手法。非常に均一で精密な膜厚制御が可能であり、半導体製造や電池の界面コーティングなどに利用される。

半導体の微細化に伴い、銅配線の保護層が占める割合が増大し電気抵抗が悪化する課題に対し、研究チームは厚さわずか0.7ナノメートルの二次元材料を採用した。この薄膜は銅の漏出を防ぎつつ平滑な形成を促し、電気抵抗を劇的に低減することに成功した。

アルゴンヌ国立研究所の研究チームは、全固体電池の課題である固体界面抵抗を、精密なナノコーティングや外部圧力に依存せず、機械的撹拌によるメカノケミカル反応で解決した。この手法により、ハロゲン化物が界面に自己組織化して安定したイオン伝導パスを形成し、室温で450サイクル後も80%以上の容量を維持する画期的な性能向上を達成した。