
サイエンス
サブ1nmノードを拓く2次元半導体:MoS2ウェハーの「自己整合」と「界面浄化」がもたらす転写レス製造革命
シリコンの微細化限界を打破するため、二硫化モリブデンの単結晶をウェハー規模で合成する新技術が開発された。自己整合的な結晶成長と膜厚の自動停止機構により、欠陥の極めて少ない原子層厚の半導体膜が実現し、次世代デバイスの実用化に大きく前進した。
別名: MOCVD
有機金属化合物と水素化物を原料ガスとして用い、加熱された基板上で化学反応(熱分解)させることで、高品質な化合物半導体の単結晶薄膜を成長させる技術。膜厚を原子層レベルで精密に制御でき、かつ大面積のウェハー規模での均一な成長が可能なため、LEDやレーザーダイオード、次世代半導体デバイスの量産プロセスにおいて不可欠な製造手法となっている。

シリコンの微細化限界を打破するため、二硫化モリブデンの単結晶をウェハー規模で合成する新技術が開発された。自己整合的な結晶成長と膜厚の自動停止機構により、欠陥の極めて少ない原子層厚の半導体膜が実現し、次世代デバイスの実用化に大きく前進した。

長らくエレクトロニクス業界の絶対的な王座に君臨してきたシリコンは、その微細化の限界に直面している。短チャネル効果や熱放散といった物理的な障壁が、ムーアの法則の終焉を現実のものとしつつあるのだ。しかし、この半導体業界の「大 […]