Term

分子線エピタキシー

別名: MBE, Molecular Beam Epitaxy

Overview

分子線エピタキシー(MBE)は、超高真空(10のマイナス8乗パスカル以下)の環境下で、加熱した蒸発源から原子や分子のビームを噴射し、加熱された基板上に単結晶を堆積させる手法である。原子層一層ごとの成長制御が可能であり、不純物の混入を極限まで抑えられるため、量子ドットや高電子移動度トランジスタなどの高性能な半導体デバイスの作製に不可欠な技術である。

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