Term

GaN-on-Silicon

別名: GaN-on-Si

Overview

安価で大口径化が容易なシリコン(Si)ウェハーを基板として、その上に窒化ガリウム(GaN)の結晶層を成長させる技術。高価なGaN単結晶基板を使用するよりも製造コストを大幅に抑えることができ、既存のシリコン半導体製造ラインを転用できるメリットがある。Innoscienceはこの技術を用いた8インチ量産で先行している。

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