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Intelと国防総省、最先端チップ開発での協力をさらに進める
Intelは2021年に米国防総省と、重要システム分野で用いられるコンピュータチップを米国内で設計、製造する事を支援するためのRAMP-Cプログラム（Rapid Assured Microelectronics Prototypes）を締結したが、Intelは本日、RAMP-Cによって米国政府が初めて最... -
Samsung、シリコンバレーにRISC-VベースのAIチップ開発のため研究開発ラボを開設
少し前、Samsungが汎用人工知能（AGI）開発のためにシリコンバレーに研究開発拠点を設立した事が報じられたが、今回その動きに続く物として、同社の高等技術院（SAIT）がRISC-Vに基づくAIチップ設計に取り組むための研究所「Advanced Processor Lab(APL)」... -
SK hynix、HBM4及び次世代パッケージング技術開発でTSMCと提携
SK hynixは、次世代のAI向け高帯域幅メモリー（HBM）の生産や、先進的なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に向け、TSMCとパートナーシップ協定を結んだことを明らかにした。SK hynixはこれにより、2026年から量産が予定されているHBMファミリー... -
Intel、初の商用High-NA EUVリソグラフィ装置の組み立てを完了
Intelは、世界で初めてASMLのHigh-NA EUVリソグラフィ装置を納入された企業となったが、同社はこの世界で最も複雑な工業機械の1つ「TWINSCAN EXE:5000」が、本日無事にオレゴン州ヒルズボロのDX1ファブにおいて組み立て完了した事を報告している。 マシン... -
ASML、2台目のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を出荷、顧客名は明かさず
オランダの半導体製造装置メーカーASMLは、米・大手チップメーカーIntelに続き、2台目のHigh-NA EUVリソグラフィ装置を別の顧客に出荷開始したと発表した。なお、顧客の名前は明らかにされていない。 ASMLのHigh-NA EUVリソグラフィ装置は、現在TSMCやSams... -
Samsung、AI向けに最適化された世界初10.7GbpsのLPDDR5X DRAMチップを発表
Samsungは、データ転送速度を最大10.7Gbpsまで引き上げた業界最速となる新たなLPDDR5X DRAMチップを発表した。 Samsungの新しいLPDDR5X DRAMチップは、Samsung 12nmクラスのプロセス技術を用いて製造されており、LPDDRの中で最小のチップサイズを実現して... -
2025年にNVIDIAは数百万ユニットのBlackwell GPUを出荷し、TSMCのCoWoSやHBM需要を大幅に喚起する
今後リリースされるNVIDIAの次世代AI GPU「Blackwell」は、TSMCのCoWoSやHBMと言った、これに関わるすべてのセグメントの需要を引き上げる大きな牽引力を持つと、TrendForceは予測している。 TrendForceは、Blackwellがその性能の高さから、既に複数の大手... -
Samsung、テキサス州に400億ドルを投じ大規模半導体施設を建設、米政府から64億ドルの補助金も獲得
Samsungは、米国テキサス州に400億ドルを投じ、半導体クラスターを建設する事を発表した。これに伴い米国連邦政府から、製造能力の拡大を支援するため、米国CHIPS法の一環として64億ドルの直接資金を受け取る。この発表は、テキサス州テイラーにあるSamsun... -
Rapidus、米国シリコンバレーに子会社を設立
日本の半導体製造会社のRapidusが米国子会社を設立した。 新会社Rapidus Design Solutions LLC（RDS)は、米国での顧客開拓・半導体設計支援を目的とし、カリフォルニア州サンタクララに設立される。代表には、社長兼ゼネラル・マネージャーとして、Henri R... -
Samsung、290層V-NANDを今月にも量産開始、430層V-NANDも2025年に量産へ
Samsungは、AI技術の高まりにより、高性能・大容量ストレージの需要が高まる中、競合他社に先んじて今月中に、290層の第9世代V-NAND（V9）チップの量産を開始する可能性があり、2025年には最大430層となる第10世代V-NAND（V10)チップの量産も計画している...