サイエンス
磁力がないのに情報が読める？ 東大らが予測した「反強磁性メモリ」の常識を覆すメカニズム
東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。
Company
JSR株式会社
別名: JSR株式会社, JSR
Overview
合成ゴムや半導体用フォトレジストなどの高機能材料で世界的なシェアを持つ日本の化学メーカー。本研究ではRDテクノロジー・デジタル変革センターが参画し、理論の社会実装に向けた材料工学的知見を提供している。
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