
中国CXMTがDDR5メモリ生産に参入、韓国大手の牙城に挑む
中国の主要メモリメーカーChangXin Memory Technologies(CXMT)が、最新鋭のDDR5メモリの量産を開始したことが明らかになった。同社の技術力向上は、Samsung ElectronicsとSK […]
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1983年設立、韓国の大手メモリ半導体メーカー。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBM(高帯域幅メモリ)を主力製品とし、世界メモリ市場で上位シェアを持つ。
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中国の主要メモリメーカーChangXin Memory Technologies(CXMT)が、最新鋭のDDR5メモリの量産を開始したことが明らかになった。同社の技術力向上は、Samsung ElectronicsとSK […]

SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
業界を二分する半導体メモリの巨人、SamsungとSK hynixが、次世代AI処理用メモリ「LPDDR6-PIM」の標準化に向けて異例の協力体制を築くことを明らかにした。この協業は、急速に拡大するオンデバイスAI市場を […]
グローバルDRAM市場は2024年第3四半期に過去最高の260億2000万ドルの売上高を記録し、前四半期比で13.6%の成長を達成した。この成長は主にデータセンター向けのDDR5およびHBM(High Bandwidth […]

次世代グラフィックスメモリが果たしてどうなるのか。SamsungとSK hynixが近く、最大42.5GT/sという驚異的な転送速度を実現する次世代GDDR7メモリの詳細を発表することで、その性能の一端が明らかになりそう […]

Samsungは半導体部門の業績不振を受け、メモリおよびファウンドリ事業の経営陣を大幅に刷新した。AIチップ市場でSK hynixやTSMCに後れを取る中、Jun Young-hyun氏を共同CEOに昇格させるなど、改革 […]

SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開 […]

中国の主要メモリメーカーであるChangxin Memory(CXMT)とFujian Jinhua(福建晉華)が、DDR4メモリ市場で大規模な安値攻勢を展開している。韓国メーカー比で50%以上安い価格設定に加え、中古チ […]

SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功してい […]

NVIDIAのJensen Huang CEOが、韓国SK hynixに対し、次世代高帯域メモリ「HBM4」の供給開始時期を6ヶ月前倒しするよう要請したことが明らかになった。SK GroupのChey Tae-won会長 […]

韓国を代表する電子機器メーカーであるSamsung Electronicsが、半導体事業において苦戦を強いられている。特に、高帯域幅メモリ(HBM)の開発で他社に後れを取っている現状が、業界内外で注目を集めているが、この […]
Samsungが世界初の24ギガビット(Gb)GDDR7 DRAMを発表した。今後発売されるNVIDIAやAMDといったメーカーのGPUに対応するこのメモリは、従来製品と比べて大きな性能向上を果たし、ゲームやAIコンピュ […]