SK hynix

SK hynixは1983年に設立された韓国の大手メモリ半導体メーカーであり、DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBM（High Bandwidth Memory）を主力製品として世界市場で上位シェアを維持している。SKグループの中核企業の一つとして、半導体製造から先端パッケージング技術まで幅広く手がける。

概要

SK hynixはメモリ半導体の設計・製造・販売を一貫して行うIDM（Integrated Device Manufacturer）であり、グローバルなDRAM市場においてSamsung Electronicsと並ぶ主要プレイヤーである。主要製品はDRAMとNAND型フラッシュメモリに大別されるが、近年はAIインフラ向けの高帯域幅メモリであるHBMの分野において特に高い存在感を示している。HBMはGPUやAIアクセラレーターと積層接続される次世代メモリ製品であり、大規模言語モデルをはじめとするAIワークロードの処理に不可欠な部品として需要が急拡大している。

技術的位置づけ

HBM市場においてSK hynixはNVIDIAなど主要AIチップメーカーへの供給実績を持ち、世界全体のHBM供給の約8割を韓国のメーカー（Samsung・SK hynix）が握るとされる。現行世代のHBM3Eに続く次世代規格HBM4および更に先のHBM4Eの開発が進む中、接合技術の選択が重要な課題となっている。従来のTC（Thermal Compression）ボンディングに代わるハイブリッドボンディングの採用については、規格緩和や量産安定性を優先する判断から2026年以降へ遅延する見通しであり、第7世代の16段HBM4Eが採用の最短候補と見られている。NAND分野では多層化・高密度化の競争が続いており、QLC NANDなど高容量品への需要もAI・データセンター市場の拡大とともに高まっている。

主要な動向

2026年7月、SK hynixは韓国の清州に総額100兆ウォン（約10.5兆円）規模の投資計画を発表した。この計画にはNAND新工場「M17」の新設が含まれており、2029年上半期の稼働を目指している。またHBM生産拠点に加え先端パッケージング拠点も整備することで、AIメモリ市場での供給力を一段と強化する狙いがある。

同年6月には、Samsung・SK hynixの両社が韓国南西部に計900兆ウォン規模を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表している。AIインフラ向けHBMの需要急増に加え、中国メーカーCXMTの技術力向上という二重の圧力が背景にあり、国家規模での生産基盤強化が急務となっている状況だ。

AIデータセンターの急拡大に伴い、HBMを含む高性能メモリの品薄と価格高騰が業界全体の問題として浮上しており、2026年には業界団体SEMIが米政府に対してメモリ市場への直接的な価格介入に反対する公開警告を発した。こうした市場環境の中でSK hynixは、HBMおよびNANDの両軸で供給能力の増強とコスト競争力の維持を図りながら、AIメモリ市場における主導的な地位の確保を目指している。