テクノロジー
SK hynix、HBM4から汎用DRAMへの戦略転換：収益構造の逆転と次世代メモリ市場の展望
SK hynixは、収益性が逆転した汎用DRAMの供給不足に対応するため、次世代メモリHBM4の量産を遅らせて生産資源を再配分する。同社はAI向け需要独占による優位性を背景に、高利益なDDR5の増産と長期契約を通じた安定収益の確保を優先する方針だ。
Company
SK hynix
1983年設立、韓国の大手メモリ半導体メーカー。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBM（高帯域幅メモリ）を主力製品とし、世界メモリ市場で上位シェアを持つ。
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テクノロジーAI向けメモリは「調達」から「共同設計」へ：MicronがAnthropicと結んだ三重ロックイン
MicronがAnthropicと複数年にわたるHBM・DRAM・SSD供給契約、メモリアーキテクチャの共同設計、Series H出資という三重構造の戦略提携を締結。AI向けメモリ市場で2位に浮上したMicronがサプライチェーンを武器に差別化を図る構造変化を解説する。
テクノロジーHBM覇権を作った李錫熙氏がSK hynixから古巣Intelに戻り、先端パッケージングを率いる
HBM量産の壁をMR-MUF技術で突破しSK hynixをNVIDIA向け主要サプライヤーに育てたLee Seok-hee氏が、古巣IntelのAdvanced Packaging担当EVPに転じた。EMIB-TでTSMCのCoWoS独占市場に挑む戦略的人事の背景と勝算を読み解く。
テクノロジーHBM市場の58%を握るSK hynixが12層HBM4Eサンプルを出荷：Samsungとの3週間差より重要な数字
SK hynixが12層HBM4Eサンプルを出荷開始。16Gbps/ピン・48GB容量・HBM4比で電力効率20%超向上を実現し、HBM市場58%を握る同社がNVIDIA Rubin Ultra向け認定レースの主導権維持を図る。Samsungとの量産タイムライン差が2027年のシェアを左右する。
テクノロジーキオクシア投資抑制の逆説：FY23比10%減がNAND価格75%上昇を支える構図
NAND契約価格が2Q26にQoQで70〜75%上昇する好況下、キオクシアはFY2026〜2028の平均年間CapexをFY23ピーク比10%減の4,700億円に設定した。2022年の1兆円投資失敗から学んだ規律が、意図せずNAND市場全体の供給タイトを持続させる構図を読む。
テクノロジーAI需要で揺れるDRAM調達、中国製24GbチップがDDR5製品に入り始めた
中国のメモリメーカーが国産の24Gbチップを用いたDDR5モジュールを相次いで発表し、自給自足の段階を実用化へ進めている。大手メーカーがAI向け供給を優先し汎用品が不足する中、中国製DRAMは安定調達を支える現実的な選択肢として存在感を高めている。
テクノロジー韓国政府、次世代パワー半導体を「第2のDRAM」へ。5,000億ウォン超のR&Dプロジェクト始動
韓国政府は次世代パワー半導体を国家の重要課題に掲げ、官民で約７５００億ウォンを投じる研究開発計画を始動させた。ＡＩや電動化に伴う需要増を見据え、海外依存度の高い化合物半導体の国産化と量産技術の確立を急ぎ、第２のメモリ産業への育成を目指す。
テクノロジー中国のタングステン輸出規制が引き金に、半導体製造に不可欠なWF6ガスが供給危機へ
半導体製造に不可欠な六フッ化タングステンが、中国の輸出規制と先端メモリ需要の増大により深刻な供給不足に陥っている。主要供給源である日本企業の生産停止危機も重なり、価格が暴騰する中で世界のサプライチェーンは構造的な再編を余儀なくされている。
テクノロジー韓国半導体輸出、重量減でも輸出額急増 DRAMは5月に370%増
韓国の半導体輸出は、AI向け高帯域幅メモリ等の高付加価値製品へのシフトにより、出荷重量が減少する一方で輸出額が過去最高圏に達する逆転現象が起きている。限られた生産能力を高単価品へ優先配分する構造が、韓国の貿易収支を強力に押し上げている。
テクノロジーIntelファウンドリ事業に転機、Googleが300万個超のTPUを発注しNVIDIAも先端プロセスを検証へ
生成AI需要の急増に伴うTSMCの供給不足を背景に、IntelがGoogleから大規模なTPU製造を受注した。NVIDIAなども次世代プロセスの検証を開始しており、独自のパッケージング技術を強みに同社がファウンドリ市場で再起する兆しを見せている。
テクノロジーメモリ電力30W未満で1.2TB/s：SK hynix が Vera Rubin の供給主導権を握った理由
NVIDIAのVera CPUはメモリ電力30W未満で1.2TB/sを出す。鍵を握るSK hynixは外付け部品の供給元からCPUの設計パートナーへと立ち位置を変え、HBM4でも最大供給元として先行する。
テクノロジーレーザーアニール技術の需要拡大：SiCから400層NAND、HBM実装までを支える次世代熱処理プロセス
半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。