テクノロジー
Etchedが3億ドルを調達し初期製造を開始、SK hynixは投資家として参加
EtchedはSK hynixも参加した3億ドル調達を発表し、低電圧演算と共有メモリを組み合わせた推論クラスタの初期製造を始めた。供給契約や比較可能な性能値は未公表である。
Company
SK hynix
1983年設立、韓国の大手メモリ半導体メーカー。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBM（高帯域幅メモリ）を主力製品とし、世界メモリ市場で上位シェアを持つ。
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テクノロジーNAND不足は2027年後半に緩和へ、高密度化と中国勢19%が供給を押し上げる
TrendForceは、NANDの供給不足が2027年後半に緩和すると予測した。既存ラインの高密度化、中国勢の増産、スマートフォンとノートPCの需要減が需給反転を支える。
テクノロジーADATA会長が「メモリ不足は今後10年」と予測、2033年まで続く増産の現実
ADATA会長の「メモリ不足は今後10年」という予測を、MicronとSK hynixの一次資料から検証。HBMのウェハ消費と2033年まで続く増産計画が、供給回復を遅らせる構造を読み解く。
テクノロジーSamsungなどメモリ3社、CXLコントローラー内製を縮小か 製品開発は継続
Samsungなどメモリー3社がCXLコントローラーの内製を縮小したと報じられた。製品開発は続き、制御チップの外部設計を取り入れる分業が進みつつある。
テクノロジーCXMTのDRAM受注は2027年末までとの報道、PC大手の長期契約が調達力を分ける
CXMTのDRAM受注が2027年末まで埋まっていると報じられた。稼働率95.73％と2028年までの設備更新計画から、大手PCメーカー優先の背景と供給改善の時期を読み解く。
テクノロジーCXMT製DDR5は大手3社と比較して性能面で劣る？ASUSのオーバークロッカーはロット差を指摘
CXMT製DDR5の48GBキットがASUS環境で8600 MT/s動作を記録した。一次タイミングの実時間とロット差を検証し、量産品で確認すべき条件を読み解く。
テクノロジーCXMT、DRAMウェハー投入能力でMicronの9割超へ 2026年末推計
CXMTの2026年末DRAMウェハー投入能力はMicronの9割超に迫る見通しだ。だがビット出荷量、製造コスト、HBM量産力ではなお差が残り、同じ月産枚数でも供給価値は異なる。
テクノロジーHBM4からHBM5までを同時進行、Samsungが設計・接合・認証を横断採用
SamsungはHBMの設計からパッケージ、顧客認証までを横断する経験者採用を開始した。HBM4の増産や次世代品の開発を見据え、工程間の連携を強めることで開発期間の短縮と量産歩留まりの改善を図り、AIメモリ市場での競争力を高める狙いだ。
テクノロジー2027年にメモリ不足が最悪化へ、SK hynixの増産がすぐ効かない理由
SK hynix CEOは2027年に史上最悪のメモリ供給不足を予測した。AI需要がDRAMとNANDへ広がる一方、龍仁と清州の増産設備は2027年から2029年に段階的に立ち上がる。
テクノロジー世界生産シェアわずか1.6%の中国によるヘリウム輸出禁止はなぜ世界の半導体市場に大きな影響を与えるのか
Intel CEOが2026年6月に指摘したヘリウムの供給リスクは、3週間後の中国による輸出禁止と直接つながらない。両者に共通するのは3月のカタールでの攻撃と生産停止であり、生産シェア1.6%の中国が輸入依存国として異例の措置に踏み切った背景を、世界供給網の時系列から読み解く。
サイエンス厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
テクノロジー265億ドル調達でAlibaba超えのSK hynix上場、消えないPER6倍未満の壁
SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。