321層4D NAND

SK hynixが世界で初めて量産を開始した321層の積層構造を持つ4D NANDフラッシュメモリ。独自の3プラグ技術を採用することで、従来の製造限界であった300層の壁を突破した。前世代の238層製品と比較してデータ転送速度や電力効率が向上しており、AIデータセンターなどの高性能ストレージ需要に対応する。