
キオクシアとSandiskが世界最高密度の3D NANDフラッシュを発表:332層QLCで37 Gb/mm²を達成
キオクシアとSandiskは332層のQLC 3D NANDフラッシュで面積密度37 Gb/mm²を達成し、層数で先行するSamsung V10(28 Gb/mm²)を密度で逆転した。CBAアーキテクチャとToggle DDR6.0、PI-LTT技術により密度、速度、省電力を同時に向上させ、AIデータセンターの大容量ストレージ需要に応える設計となっている。
別名: CMOS Bonded to Array, オーストラリア・コモンウェルス銀行, CBA, Commonwealth Bank of Australia
CMOS Bonded to Array(CBA)は、メモリセルアレイを形成したウェハーと、CMOS制御回路を形成したウェハーを個別に最適化して製造し、それらを直接貼り合わせる革新的な製造プロセス。従来の回路の上にセルを構築する方式に比べ、信号経路の短縮による高速化・低遅延化と、チップ全体の集約度向上を同時に達成できる。この技術により、2テラビットのNANDチップを32枚積層した超高密度パッケージの製造が可能となった。

キオクシアとSandiskは332層のQLC 3D NANDフラッシュで面積密度37 Gb/mm²を達成し、層数で先行するSamsung V10(28 Gb/mm²)を密度で逆転した。CBAアーキテクチャとToggle DDR6.0、PI-LTT技術により密度、速度、省電力を同時に向上させ、AIデータセンターの大容量ストレージ需要に応える設計となっている。

キオクシアは、332層の第10世代3次元フラッシュメモリ技術を適用した1Tb TLC製品のサンプル出荷を開始した。独自の接合技術等により、従来比でビット密度を59%向上させつつ電力効率も改善しており、AI向けSSD市場の強化を図る。

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