HBFはメモリ規格から装置商戦へ、韓国勢がTCボンダーで先行争い
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
別名: High Bandwidth Flash
HBF(High Bandwidth Flash)は、SK hynixとSanDiskが共同で提唱し、OCP(Open Compute Project)を通じて標準化を進めている次世代のメモリ規格です。AIサーバーで主流の高速・高価なHBMと、大容量だが低速なSSDの中間に位置する新しいメモリ階層として定義されています。NANDフラッシュをベースにしながら、第1世代で最大1.6 TB/sという驚異的な読み込み帯域幅を実現し、HBMの数倍から十数倍の容量を低コストかつ低消費電力で提供することを目指しています。特に巨大なモデルパラメータをメモリ上に保持する必要があるAI推論フェーズの経済性と効率を劇的に向上させる技術として期待されています。
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
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