テクノロジー
Samsung、HBM4Eサンプルを「世界初」出荷 48GB・最大3.6TB/sでAIメモリ競争を前倒し
Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」（12層/48GB）のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。
Tech Product
HBM4E
別名: 第7世代HBM, HBM4E
Overview
HBM4E is the projected successor to HBM4, representing the seventh generation of the technology. It is expected to further push the limits of bandwidth and power efficiency, potentially incorporating ultra-fine process nodes like 2nm for its logic die and utilizing hybrid bonding for chip stacking.
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