テクノロジー
SK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
Tech Product
HBM4E
SKメモリ各社が開発を進めるHBM（High Bandwidth Memory）の第7世代規格で、HBM4の拡張版にあたる。AI・HPC向けに帯域幅と容量をさらに拡大し、SamsungはHBM4E（12層/48GB、最大3.6TB/s）のサンプルを2026年5月に世界初出荷したと発表した。
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テクノロジーSK hynix、現行製品の30倍の性能を持つ次世代HBMを開発中と明かす
SK hynixが現行製品の30倍の性能を目指すという次世代HBMメモリの開発に乗り出した。この画期的な技術革新は、急速に成長するAI市場におけるHBMの重要性を反映したものと言える。 SK hynixの野心的な次世代H […]
テクノロジーNVIDIA CEO、SamsungのHBMチップがテストを通過していないことを認める
Samsungの先日の声明は嘘はついていないが真実も語っていなかった。NVIDIAのCEO Jensen Huang氏はComputex 2024において記者団に対し、Samsungの高帯域幅メモリ（HBM）チップの検証 […]
テクノロジーSK hynix、2026年登場のHBM4Eではコンピューティングとキャッシュ、ネットワーク機能を統合へ
SK hynixはHBM（高帯域幅メモリ）市場で現在トップのシェアを誇るが、次世代のHBMでは演算および通信機能などを追加し、競合企業との差別化を図るべく開発を進めていることが明らかになった。 HBMへのシステム半導体の […]
テクノロジーSK hynix、米インディアナ州に40億ドルを投資し世界最大の先端半導体パッケージング工場を建設へ
以前、韓国のSK hynixが世界最大規模のメモリ製造施設を米国に建造する計画でいることがThe Wall Street Journal紙によって報じられた。これは内部関係者の話としてリークされたもので、SK hynix […]