ハイブリッドボンダー

半導体パッケージング工程において、チップとチップ、あるいはチップとウェハーを直接接合するための装置。従来のハンダ（バンプ）を介した接合とは異なり、銅（Cu）の配線面をナノレベルで平坦化し直接密着させることで、電気抵抗の低減、薄型化、高密度化を実現する。HBM4以降の次世代高帯域幅メモリ製造におけるキーテクノロジーとされている。