
テクノロジー
EUV規制回避の決定打か、中国製半導体装置「選択比500倍」の真偽を検証する
中国NAURAがCSTIC 2026で発表した3D DRAM向けSiGe/Si選択エッチング技術は、64層で選択比500倍超を示す一方、装置名やスループットは未公開でCXMT採用も裏付けられていない。
従来の平面的な構造ではなく、メモリセルを垂直に積み上げることで高密度化を実現する次世代メモリ技術。現在のDRAMの微細化限界を打破する解決策として期待されており、AI処理などの大容量・高速データ転送が必要な用途に適している。

中国NAURAがCSTIC 2026で発表した3D DRAM向けSiGe/Si選択エッチング技術は、64層で選択比500倍超を示す一方、装置名やスループットは未公開でCXMT採用も裏付けられていない。

SK hynixは「SK AI Summit 2025」において、2031年までを見通す包括的なメモリ技術ロードマップを公開した。このロードマップは、AIコンピューティングの爆発的な需要増に応えるための次世代メモリの進化 […]

少し前、Samsungが汎用人工知能(AGI)開発のためにシリコンバレーに研究開発拠点を設立した事が報じられたが、今回その動きに続く物として、同社の高等技術院(SAIT)がRISC-Vに基づくAIチップ設計に取り組むため […]

Samsungは、米国で開催された世界半導体会議「MEMCON 2024」で、関係者に向けて3D DRAMの開発ロードマップを発表した。それによれば、同社は2025年に半導体業界では初となる3D DRAMを発表するという […]