3プラグ技術

3プラグ技術は、NANDフラッシュメモリの製造プロセスにおいて、約100層ずつのスタックを3つの段階に分けて垂直に積層し、それらを貫通するプラグ（穴）を形成する手法である。従来の製造方法では、積層数が100層を超えるとエッチング装置の信頼性が低下し、垂直な穴を正確に開けることが困難になるという課題があった。SK hynixはこの技術を導入し、低ストレス材料による基板の反り抑制や、プラグ間の自動位置補正技術を組み合わせることで、300層を超える超高積層化を実現した。これにより、製造の難易度を抑えつつ、1テラビット級の大容量メモリの安定した生産が可能となる。