完全空乏型シリコンオンインシュレータ

シリコンウェハー上の薄い絶縁膜（BOX層）の上に非常に薄いシリコン層を形成する技術。バルクシリコン構造と比較して、リーク電流の抑制や低電圧駆動に優れ、特にIoTデバイスや自動車用チップ、RF（無線通信）分野で高い効率を発揮する。