ナノシート

Gate-All-Around（GAA）とも呼ばれる次世代のトランジスタ構造。ゲートがチャネルの全周囲を囲む構造により、従来のFinFETよりも電流の漏れを効果的に抑制し、微細化に伴う物理的限界を克服する。2nm以降の先端プロセスにおける標準的な技術になるとされている。