強誘電体メモリ

強誘電体材料の自発的な電気分極を外部電界によって反転させることでデータを記録する不揮発性メモリ。電源を切ってもデータが保持され、書き換え速度が速く、書き換え耐性が高いという利点を持つ。長年、容量の拡大やコスト、製造プロセスの互換性が課題となっていたが、酸化ハフニウムの採用により、DRAMに匹敵する大容量化と微細化に向けたブレークスルーが期待されている。