ステップフロー成長法

結晶成長において、基板表面に形成された微細な階段構造（ステップ）の端に原子を取り込ませることで、層状に結晶を成長させる手法。本研究では基板を10度傾けることで高密度のステップを形成し、高濃度の鉄を添加しても結晶構造が崩れない精密な制御を実現した。これにより、強磁性半導体の高品質化とキュリー温度の向上に成功した。