テクノロジー
TSMC、2nmプロセス歩留まり向上で量産前倒し：年内に南北2工場で生産へ
世界最大の半導体ファウンドリであるTSMCは、最先端の2nmプロセス技術の量産を当初計画より前倒しし、2025年内に台湾北部の新竹宝山工場と南部の高雄工場で同時に開始する見込みだ。試作段階での歩留まりが予想以上に好調であ […]
Term
Nanosheet
別名: ナノシート, GAA, Gate-All-Around
Overview
最終更新: 2026年7月9日A nanosheet is a thin, wide channel structure used in advanced GAA FET designs. By stacking multiple nanosheets vertically, manufacturers can increase the effective width of the channel within a small footprint, allowing for higher drive current and better performance compared to nanowires while maintaining superior electrostatic control and low leakage current.
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External Mentions
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- Hacker News The Nanohertz Gravitational-Wave Detection Explained
- Hacker News 5/3nm Wars Begin