NGDB

NGDB（Next Generation DRAM Bonding）は、IntelのAMTプログラムから生まれた次世代のメモリ接続技術です。従来の積層メモリで主流だったTSV（シリコン貫通電極）に代わり、銅（Cu）同士を直接接合するハイブリッド・ボンディング技術を採用しています。TSVのようにダイに物理的な穴を開ける必要がないため、メモリ容量を圧迫せず、製造工程の簡素化が可能です。あたかも単一のシリコンブロックのような高密度な接続を実現することで、接続遅延を最小化し、帯域幅を大幅に拡大できる利点があります。ZAM（Z-Angle Memory）のアーキテクチャにおいて、垂直配置されたダイ間の高速通信を支える中核的な要素技術として位置づけられています。