テクノロジー
2025年第2四半期のDRAM価格動向：下落緩和とHBM上昇へ
市場調査会社TrendForceの最新の分析によると、2025年第2四半期の従来型DRAM価格は0〜5%の小幅下落にとどまる一方、HBM（高帯域幅メモリ）を含めた平均価格は3〜8%上昇する見通しだ。 DRAM市場全体の価 […]
Topic
メモリ・ストレージ
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サイエンスAIがDNAデータストレージを革新：データ取り出し速度が3,200倍に向上
イスラエル工科大学（Technion）の研究チームは、DNAにデジタルデータを保存する技術において、AIを活用してデータ取り出し速度を3,200倍に向上させることに成功した。「DNAformer」と名付けられたこのAIモ […]
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テクノロジーSK hynix、世界初の12層HBM4メモリを出荷 – 36GB容量・2TB/秒を実現
SK hynixが世界に先駆けて12層HBM4メモリのサンプルを主要顧客に向けて出荷した。現在サンノゼで開催中のGTC 2025でも開発モデルを展示中だ。この次世代AI向け超高性能DRAMは最大36GB容量と2TB/秒超 […]
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サイエンス従来のHDDとは異なり“分子レベル”での暗号化機能を持つ「分子HDD」技術が登場、将来的には100TBも実現可能か
中国の研究チームが、従来のハードディスクの約6倍の情報密度を持ち、分子レベルで暗号化機能を実装した革新的な「分子HDD」技術を開発した。『Nature Communications』誌に発表されたこの技術は、将来的に10 […]
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サイエンス計算機の「時間と空間」の常識を覆す新理論が登場 ―― 50年来の定説を覆すメモリ効率化技術
計算機科学における長年の課題であった「時間と空間」の関係に、新たな知見がもたらされた。MITの研究者が発表した新たな論文は、特定の計算において、従来考えられていたよりもはるかに少ないメモリで実行できる可能性を示唆している […]
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テクノロジーSamsung、400層超のV10 NANDを発表：5.6 GT/sの高速転送と2025年量産へ
Samsungが国際ソリッドステート回路会議（ISSCC 2025）において、革新的なウェハーボンディング技術を搭載した第10世代V-NANDフラッシュメモリを発表した。400層以上の有効層と5.6 GT/s（ギガトラン […]
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テクノロジーSK hynix、IntelのNAND事業買収の完了間近 – 88億ドル規模の大型M&A
SK hynixが2020年10月に発表したIntelのNAND事業の買収が、いよいよ完了間近となっている。総額88億4400万ドル規模のこの買収は、韓国企業による過去最大のM&Aであり、SK hynixのエンタ […]
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テクノロジーMicron、初のEUV製造技術採用となる1γ DDR5-9200メモリ出荷開始
Micronは、同社初となるEUV（Extreme Ultra Violet：極端紫外線）リソグラフィ技術を採用した第6世代10nmクラス「1γ（1-gamma）」製造プロセスによる16Gb DDR5メモリの出荷を開始し […]
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テクノロジーSamsung初の8TB対応、PCIe 5.0 SSD「9100 PRO」発表——最大14,800MB/sの速度を実現
Samsungは2025年に向けて消費者向けストレージの新たな旗艦モデルとなるPCIe 5.0対応NVMe SSD「9100 PRO」を正式発表した。前世代の990 PROから性能を倍増させ、同社初となる8TB大容量モデ […]
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テクノロジーKIOXIAとSanDisk、次世代の332層3D NANDフラッシュメモリ技術を発表：33%の高速化と省電力化を実現
KIOXIAとSanDiskは、共同開発した第10世代3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新技術は、インターフェース速度、ビット密度、電力効率を大幅に向上させ、AI時代におけるデータストレージの進化を牽引す […]
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テクノロジー大手DRAMメーカー、DDR3・DDR4生産を相次いで終了か？2025年後半にも供給不足の可能性
主要DRAMメーカーがDDR3およびDDR4メモリの生産を2025年末までに終了する可能性がある。需要の低迷と中国メーカーとの価格競争激化が背景にあり、各社はDDR5とHBM（High Bandwidth Memory） […]
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テクノロジーNANDフラッシュ市場、2025年後半に回復の見込み：AI需要と供給調整が鍵
2025年第1四半期、NANDフラッシュ市場は供給過剰により価格下落が続いた。しかし、最新の予測によれば、主要メーカーの減産、スマートフォン分野の在庫調整、そしてAI関連需要の増加により、2025年後半には需給バランスが […]