テクノロジー
中国CXMT、DRAM市場シェア15%へ急拡大か – 価格破壊の懸念も浮上
中国の半導体メーカーChangxin Memory Technologies（CXMT）が、グローバルDRAM市場で急速にシェアを拡大している。Silicon Motion Technologyの総経理Gou Jiazh […]
Topic
メモリ・ストレージ
全 435 件 / 37 ページ
-
-
サイエンスMITが光による革新的な磁化技術を開発 – 次世代メモリの実現へ前進
MITの物理学者チームが、光のみを用いて物質を磁化させる画期的な技術の開発に成功した。この成果は、より小型で高効率な次世代データストレージの実現に向けた重要な一歩となる可能性がある。『Nature』誌に2024年12月1 […]
-
テクノロジー中国CXMTがDDR5メモリ生産に参入、韓国大手の牙城に挑む
中国の主要メモリメーカーChangXin Memory Technologies（CXMT）が、最新鋭のDDR5メモリの量産を開始したことが明らかになった。同社の技術力向上は、Samsung ElectronicsとSK […]
-
テクノロジーSeagate、待望の32TB HAMR HDD「Exos M」を一般販売へ – 20年来の技術革新がついに実用化
長年の研究開発を経て、Seagateが熱補助型磁気記録（HAMR：Heat-Assisted Magnetic Recording）技術を採用した32TBのハードディスクドライブを一般販売することを発表した。Mozaic […]
-
サイエンス摂氏600度以上で動作可能な新型メモリを開発 – 金星探査にも道を開く革新的技術
ミシガン大学の研究チームは、600℃（1,112°F）以上の高温環境下でも安定して動作する革新的なメモリデバイスの開発に成功した。従来のシリコンベースの半導体メモリでは到達不可能だった温度域での動作を実現し、ジェットエン […]
-
テクノロジーSK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
-
サイエンス消費電力を10億分の1に削減する新型メモリ素材が偶然見つかり夢のメモリの実現がまた一歩進む
データストレージ技術の革新につながる画期的な発見が報告された。ペンシルベニア大学工学部の研究グループは、インジウムセレン化物(In2Se3)を用いることで、次世代メモリ技術として期待される相変化メモリ(PCM)の消費電力 […]
-
テクノロジーSamsung・SK hynix、次世代AI向けメモリLPDDR6-PIMの標準化で歴史的協業へ
業界を二分する半導体メモリの巨人、SamsungとSK hynixが、次世代AI処理用メモリ「LPDDR6-PIM」の標準化に向けて異例の協力体制を築くことを明らかにした。この協業は、急速に拡大するオンデバイスAI市場を […]
-
テクノロジー米バイデン政権、中国半導体産業に対する包括的な輸出規制を発表 – 140社以上が対象に
米Biden（バイデン）政権は12月2日、中国の半導体産業に対する新たな輸出規制を発表した。この措置により、中国の140社以上が規制対象となり、人工知能（AI）開発に不可欠な高帯域メモリ（HBM）チップの輸出も制限される […]
-
テクノロジー2024年Q3のDRAM市場、HBM需要で13.6%成長 – 中国勢の台頭で価格下落の懸念も
グローバルDRAM市場は2024年第3四半期に過去最高の260億2000万ドルの売上高を記録し、前四半期比で13.6%の成長を達成した。この成長は主にデータセンター向けのDDR5およびHBM（High Bandwidth […]
-
テクノロジー米国、中国半導体企業200社への追加制裁を検討―HBMも規制対象に
バイデン政権が中国の半導体産業に対する新たな制裁措置を準備している。米国商工会議所の会員向け電子メールによると、約200社の中国半導体企業が新たに取引制限リストに追加される見通しである。さらに、人工知能開発に不可欠な高帯 […]
-
テクノロジーSK hynix、世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産開始 – 半導体業界で新たな技術革新
SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開 […]