テクノロジー
中国YMTCが次世代DRAM開発、9,600 MT/sの高速転送を目指す新構造を採用
YMTCのDRAM開発は、9,600 MT/sを目指す別設計へと具体化した。VCT、Xtacking、3D DRAMの違いを整理し、CXMTの量産公表と照らして技術と供給の進展を読む。
Topic
メモリ・ストレージ
Memory & Storage
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テクノロジーSK hynix、SolidigmのIPO計画を撤回 米国の新工場建設はどうなる？
SK hynixは10月23日、子会社SolidigmのIPO検討を打ち切り、米国での追加生産設備は必要だと述べた。ただし声明は工場の建設を決めたとは書かず、投資の時期・規模・資金調達は検討を続けるとする。声明文の記述範囲から、新工場の現在地を読む。
テクノロジーHDD出荷容量22%増に対し売上55%増、WD決算が示す利益急増の中身
WDの増収率はHDD出荷容量の伸びを上回った。同期間の売上高と容量を照合し、粗利率と営業費用が利益に及ぼした効果を読む。前期のSandisk保有持分益や、次期見通しとの比較条件も整理する。
テクノロジーMicron、20年以上研究した「4F² DRAM」の採用を断念、次世代メモリは6F²と3D構造へ
Micronは4F² DRAMを採用せず、6F²の延伸と3D DRAM開発を進める。キャパシタピッチを重く見る判断を、SK hynixの動作実証やキオクシアの研究と照合し、密度と量産性の違いを読む。
テクノロジーカラー電子ペーパーの色域が2倍へ、E Ink「Kaleido 4」が変える表示と操作
E Inkの新世代カラー電子ペーパーを、前世代の表示仕様と過去の制御IC発表から読み解く。色域や白の改善と、初搭載端末での高速化を分け、カラー300ppi報道の確度と実機評価の条件を整理する。
テクノロジー高速メモリの容量をどう増やすか、Groqが次世代AIチップで3D積層DRAMを検討と報道
Groqが次世代AIチップで3D積層DRAMを検討しているとの報道が出た。現行LPXのSRAMと外部DDR5の役割を分け、積層化で変わり得るデータ配置と、低遅延を維持するための条件を読み解く。
テクノロジー中国YMTCがSamsungを逆転、NAND市場シェア38.5%に 韓国2社が現地工場の刷新を急ぐ
Samsungの西安工場を286層、SK hynixの大連工場を240層以上へ更新する計画をReutersが報じた。公式技術資料とBIS声明から、記憶密度、ウェハー処理能力、装置輸出許可の違いを読み解く。
テクノロジーMicron、次世代メモリ「DDR6」で帯域2倍超へ：400層超のNANDも開発、AI向け技術を一斉強化
MicronがDDR5比2倍超の帯域を目指すDDR6や400層超のG11 NANDを含むロードマップを公開。Metaとの共同解説から、LPDDR6のアクセス制御・省電力・信頼性まで読み解く。
テクノロジーPHPの脆弱性2件に緊急修正、認証なしでサーバーを乗っ取り可能に：2年前から問題を把握も修正が難航
PHPが重大な脆弱性2件の修正版を公開した。メモリ不足とリクエスト間に残る内部状態が攻撃につながる仕組み、暫定設定の限界、2024年に把握した兆候の修正が難航した背景を読み解く。
テクノロジーMicronがロボットAI向け新型メモリ「EIM」を開発、LPDDRを積層して高速・省電力化へ
MicronがフィジカルAI向けEIMを開発中とThe Elecが報道。LPDDR積層の狙いを、公式白書のデータ転送例から解説する。2028年後半の量産予測と未公表の性能も区別した。
テクノロジーPC用メモリは増えるのか、CXMTの月10万枚増強予測と用途配分の行方
CXMTの月産能力は32万枚から2027年までに42万枚へ増えるとの予測がある。G5量産による総ダイ数の改善も重なるが、PC・スマホへの供給量は良品率と用途への配分に左右される。
テクノロジーSamsungが自社製4nmを使わずTSMCの3nmを採用へ、NVIDIAの次世代HBMで異例の判断
SamsungがNVIDIA向けNVHBMのベースダイにTSMC 3nmを採用すると報じられた。公式のHBM4内製体制とNVHBMの仕組みを比較し、共通化の利点と製造集中の制約を読む。
