サイエンス
厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
Topic
メモリ・ストレージ
Memory & Storage
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テクノロジー265億ドル調達でAlibaba超えのSK hynix上場、消えないPER6倍未満の壁
SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。
テクノロジーSK hynixの大連第2工場、再始動計画が浮上 NAND月5万枚と2027年許可の壁
SK hynixが中国の大連第2工場への設備投資を再開する。2027年上期までの稼働を目指しており、韓国の新工場完成に先んじてNANDの供給能力を増強する狙いだ。ただし、計画の完遂には米国の輸出規制に伴う装置搬入の許可継続が不可欠である。
サイエンス最新GPUの10倍の電力効率：SK hynixとTetraMemが開発した次世代AIチップの全貌
AIの電力効率向上に向け、メモリ内で計算を行うイン・メモリ・コンピューティングが注目されている。米韓の研究チームは、軽量なAIモデルで多用される演算の非効率性を解消するため、配線をジグザグ状にした独自のメモリスタSoCを開発し、既存のGPUを凌駕する極めて高い電力効率を実証した。
テクノロジーメモリ相場は一枚岩でない、旧世代DRAM高とNAND安が同時進行
DRAM市場では供給能力の偏りから旧世代品が小幅続伸する一方、NAND市場では高値による買い控えで価格が下落しており、強気なAI需要の裏で二極化が進んでいる。この対照的な動きは供給制約と買い手の限界を露呈しており、今後の相場は取引量の推移が鍵となる。
テクノロジーSamsungがPCIe 6.0エンタープライズSSDの量産を開始、AIサーバーのストレージ帯域を倍増させる
Samsungは、AIサーバーのデータ転送速度向上に向けたPCIe 6.0対応のエンタープライズSSD「PM1763」を量産化した。前世代比2倍以上の読み取り速度を実現し、次世代AIプラットフォームでのボトルネック解消と効率的な運用を支援する。（119文字）
テクノロジーXBMはHBM4キラーか、Intelが狙うオンパッケージメモリの再配線
Intelが構想する新メモリXBMは、HBM4の代替というより、UCIeを用いたオンパッケージメモリの接続最適化を目指すものである。高速なシリアルリンクの活用や配線層へのDRAM配置により、実装面積の削減や帯域密度の向上を図る狙いがある。
テクノロジーASUSやMSIが中国系メモリ対応を拡大、PCの部材高が調達先を広げる
メモリ価格の高騰を受け、LenovoやASUS等のPCメーカーは中国系サプライヤーの製品認証や採用を拡大している。これは韓国勢等の既存大手への依存を下げて調達の選択肢を増やす戦略であり、部材コスト上昇局面における価格交渉力の強化を狙った動きである。
テクノロジーHBMで3番手のSamsungが、NVIDIAとAppleを超える最高益を記録した理由
Samsung電子が2026年Q2に89.4兆ウォン(584億ドル)の記録的営業利益を発表し、NVIDIAとAppleの過去最高益を上回った一方、成長分野のHBMではSK hynixとMicronに次ぐシェア17%の3番手である実態を、価格主導の増益構造から読み解く。
テクノロジーHBM4Eで遠のくハイブリッドボンディング、16段化が次の分岐点
SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。
テクノロジーSamsungの利益300兆ウォン観測、AIメモリが40年分の稼ぎを一気に塗り替える
Samsungの2026年通期営業利益が300兆ウォンに達するとの予測が浮上している。AIインフラ向けメモリの需要爆発が主因であり、1社でNVIDIAに匹敵する利益を稼ぎ出す可能性が出てきた。この空前の利益水準はメモリ業界全体の再評価を促している。
テクノロジーMicronが広島で最大級クリーンルーム増設、1γ DRAMとHBM時代の布石に
Micronは広島工場で新クリーンルームに着工し、2028年後半の装置搬入を目指す。最大1.5兆円規模の投資を通じて1γ DRAMなどの次世代AI向けメモリの量産能力を確保し、長期的な需要拡大に対応する開発・生産拠点としての役割を強化する。