
DRAMとNANDの高騰はいつ終わるのか?Micron、Samsung、SK hynixが示す2028年の条件
AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。
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Memory & Storage
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AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。

MarvellのCXL製品群「Structera」は、インライン圧縮技術により物理容量を超えるメモリ拡張を実現し、AIサーバーの設計制約を解消する。CPU外の専用デバイスで圧縮や計算、ラック内でのメモリ配分を行うことで、次世代の効率的なメモリ階層を構築する。

Appleはメモリ価格の高騰を受け、中国のCXMTからの部品調達を検討している。将来的な規制による供給停止リスクを回避するため、同社は米政府に対し、取引の継続性に関する保証や承認を求める異例の働きかけを行っている。(113文字)

ソウル大学の研究チームは、強誘電体メモリの電圧制御により、決定論的な演算と確率的な乱数生成を自在に切り替えられる新素子を開発した。電子の揺らぎを利用して生成AIに必要なカオスと秩序を単一デバイスで両立し、電力効率と省スペース化を劇的に向上させた。

AIデータセンターの急拡大に伴うメモリ需要の急増を受け、AppleはMacとiPadの価格を引き上げた。部材コストの上昇を背景に、日本国内でも数万円規模の大幅な値上げが実施されており、AIインフラ投資の波が消費者の負担増として現れている。

Micronが複数の主要顧客と2030年までの長期供給契約を締結したことは、AI需要によるメモリー不足が長期化する見通しを裏付けている。この契約は供給枠の確保と引き換えに高水準の下限価格を設定しており、同社の将来的な収益安定性を強固にするものだ。

QualcommがHBC(High Bandwidth Compute)技術を発表。LPDDRメモリ直下にコンピュートを3D積層するアーキテクチャでカード1枚あたり133 TB/sの実効帯域幅を実現し、HBM依存のNVIDIAアーキテクチャに対してコスト・電力効率・製造能力の三正面から挑む。

Micronの2026年度第3四半期決算は、AI需要に伴う価格上昇で過去最高の売上高を更新した。供給不足を背景に顧客との複数年にわたる長期契約が拡大しており、メモリ市場が従来の価格変動を伴う循環から安定供給を重視する構造へ移行しつつある。

SK hynixは、AIメモリの増産に向けた資金調達のため、米国ナスダック市場への上場を申請した。最大約1,779万株の新株を発行し、調達した資金は次世代HBMの生産能力拡大に不可欠な龍仁の新工場建設やEUV露光装置の取得などに充てる計画だ。

SanDiskが2025年9月取得の特許(US 12,430,274 B2)は、現行HBF(隣接型)を超えてNANDとGPUコアを垂直に直積層するアーキテクチャを先取り保護している。Gen 1サンプル出荷が2026年H2に迫る中、SK HynixとのOCP標準化も進行。AIストレージの次の形を解説する。

OpenAIのCodex CLIに、異常な量のログをSQLiteへ書き込み続ける不具合が発覚した。制御不能なTRACEレベルのログがSSDの寿命を急速に削る仕様となっており、ユーザーはRAMディスクへの退避などの自衛策を講じる必要がある。
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40%以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。