メモリ・ストレージ

Montage、CXL 3.2メモリ拡張チップを試験生産　SamsungとSK hynixが初期検証

MontageがCXL 3.2対応メモリ拡張チップを試験生産へ移し、SamsungとSK hynixも初期検証を完了した。焦点は量産時期と実負荷性能に移る。

CXMTの12.8Gbps LPDDR6、開発検証は完了間近と報道　量産判断はなお先

CXMTのLPDDR6が12.8Gbps設計で開発検証の完了間近と報じられた。公式開示と競合各社を照合し、量産までに残る顧客評価と認定を検証する。

「8GBで動くWindows 11」をMicrosoftが本気で作ろうとしている

AI向けメモリの需要急増に伴う供給不足と価格高騰を受け、PC市場では8GBメモリの標準化が再燃している。これに対しMicrosoftは、OSの基盤刷新やコンポーネントの軽量化を通じて、低容量メモリでも快適に動作する異例の最適化方針を打ち出した。

メモリ高騰はもう他人事ではない、次に買うスマホの値段はすでに動き出している

Samsungは2026年Q2に世界出荷シェア首位を守ったが、同じ四半期にモバイルやTV、家電を担うDX部門が2011年以降で初めての赤字に転落した。自社半導体部門主導のメモリ価格高騰が自社の消費者向け事業を圧迫した内情を、決算数値と出荷データから読み解く。

メモリアーキテクチャを一新するか、ライス大が発見した未知の磁性

SandiskとSK hynixが賭けた新メモリ、キオクシアは独自路線で対抗

Sandiskが開発しSK hynixが標準化で連携するNANDベース新型メモリHBFは、読み込み帯域1.6TB/s・容量512GBで2.8兆パラメータ級MoEモデルを支える設計だが、少数ベンダー主導の技術が抱えるOptane的な脆さという課題も残る。

DRAM高は続きNANDは下落圧力へ、2027年の供給差をメーカー投資から読む

TrendForceは2027年にDRAM不足が深まる一方、NANDは後半から緩むと予測した。HBMのウェハー消費と高層NANDの増産力が価格差を生むが、Micronは不足継続を見込む。

キオクシア、第9世代BiCSと第10世代搭載PCIe 6.0 SSDをサンプル出荷

キオクシアは第9世代1Tb TLCと、第10世代BiCSを載せるPCIe 6.0対応CM10のE3.S／E1.Sをサンプル出荷。用途別の二軸戦略を製品へ移した。

Appleの中国製メモリ調達に超党派上院6議員が反発、8月21日期限は2022年の再来

超党派上院議員6名がAppleに中国CXMTとYMTC製メモリの不使用を8月21日までに確約するよう求めた書簡を、2022年のYMTC撤回劇や書簡署名議員の地元投資利害と重ねて読み解く。AI逼迫とMicronの2500億ドル投資も焦点。

Samsung半導体の利益率は70%、過去最高益の裏でGalaxy事業が赤字転落

AIサーバー向けメモリの価格上昇でSamsungの半導体部門が営業利益率70%に達した一方、完成品部門は部材高で赤字化。過去最高益の内訳と持続条件を検証する。

ゲーム機や車が値上がりする理由：SK hynixの契約に隠れていた仕組みとは

SK hynixは主要顧客と最長5年の長期供給契約を締結したが、価格上限を撤廃することで市場高騰時の利益を独占する強気な設計となっている。供給確保を優先する顧客の弱みに付け込み、下落リスクを抑えつつ上昇益を享受する非対称な契約構造が鮮明になった。

InnosiliconのLPDDR6 IPを韓国DRAM大手が使用と報道

中国の半導体IP企業である芯動科技が、LPDDR6対応のインターフェースIPを韓国の大手DRAMメーカーに納入したことが報じられた。同IPは最大14.4Gbpsの高速転送を謳うが、実際の製品への採用や量産実績については今後の検証が待たれる。