
SK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
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Memory & Storage
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SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]

データストレージ技術の革新につながる画期的な発見が報告された。ペンシルベニア大学工学部の研究グループは、インジウムセレン化物(In2Se3)を用いることで、次世代メモリ技術として期待される相変化メモリ(PCM)の消費電力 […]
業界を二分する半導体メモリの巨人、SamsungとSK hynixが、次世代AI処理用メモリ「LPDDR6-PIM」の標準化に向けて異例の協力体制を築くことを明らかにした。この協業は、急速に拡大するオンデバイスAI市場を […]

米Biden(バイデン)政権は12月2日、中国の半導体産業に対する新たな輸出規制を発表した。この措置により、中国の140社以上が規制対象となり、人工知能(AI)開発に不可欠な高帯域メモリ(HBM)チップの輸出も制限される […]

グローバルDRAM市場は2024年第3四半期に過去最高の260億2000万ドルの売上高を記録し、前四半期比で13.6%の成長を達成した。この成長は主にデータセンター向けのDDR5およびHBM(High Bandwidth […]
バイデン政権が中国の半導体産業に対する新たな制裁措置を準備している。米国商工会議所の会員向け電子メールによると、約200社の中国半導体企業が新たに取引制限リストに追加される見通しである。さらに、人工知能開発に不可欠な高帯 […]

SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開 […]

MSIは、AM5マザーボード向けに新たなパフォーマンス最適化機能「Latency Killer」を導入した。この機能は、特にAGESA 1.2.0.2aアップデート以降に報告されているDDR5メモリのレイテンシ低下に対応 […]

中国の主要メモリメーカーであるChangxin Memory(CXMT)とFujian Jinhua(福建晉華)が、DDR4メモリ市場で大規模な安値攻勢を展開している。韓国メーカー比で50%以上安い価格設定に加え、中古チ […]

データセンターストレージの新たな転換点となる発表が行われた。PhisonとSolidigmが、ほぼ同時に120TB超の大容量SSDを発表。両社の新製品は、AIワークロードの急増に対応する次世代データセンター向けストレージ […]

Micron Technologyは、世界初となるPCIe Gen5対応の大容量SSD「ION 6550」を発表。60TBという圧倒的な容量を持ちながら、業界最高レベルの性能と電力効率を実現している。同社の受賞歴を誇る6 […]

SK hynixは、世界初となる16層積層の「16-Hi HBM3E」メモリを開発したことを発表した。現行の12層製品から4層増やすことで、1スタックあたりの容量を36GBから48GBへと33%増加させることに成功してい […]