
Samsung、400層超のV10 NANDを発表:5.6 GT/sの高速転送と2025年量産へ
Samsungが国際ソリッドステート回路会議(ISSCC 2025)において、革新的なウェハーボンディング技術を搭載した第10世代V-NANDフラッシュメモリを発表した。400層以上の有効層と5.6 GT/s(ギガトラン […]
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Memory & Storage
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Samsungが国際ソリッドステート回路会議(ISSCC 2025)において、革新的なウェハーボンディング技術を搭載した第10世代V-NANDフラッシュメモリを発表した。400層以上の有効層と5.6 GT/s(ギガトラン […]

SK hynixが2020年10月に発表したIntelのNAND事業の買収が、いよいよ完了間近となっている。総額88億4400万ドル規模のこの買収は、韓国企業による過去最大のM&Aであり、SK hynixのエンタ […]

Micronは、同社初となるEUV(Extreme Ultra Violet:極端紫外線)リソグラフィ技術を採用した第6世代10nmクラス「1γ(1-gamma)」製造プロセスによる16Gb DDR5メモリの出荷を開始し […]

Samsungは2025年に向けて消費者向けストレージの新たな旗艦モデルとなるPCIe 5.0対応NVMe SSD「9100 PRO」を正式発表した。前世代の990 PROから性能を倍増させ、同社初となる8TB大容量モデ […]

KIOXIAとSanDiskは、共同開発した第10世代3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新技術は、インターフェース速度、ビット密度、電力効率を大幅に向上させ、AI時代におけるデータストレージの進化を牽引す […]

主要DRAMメーカーがDDR3およびDDR4メモリの生産を2025年末までに終了する可能性がある。需要の低迷と中国メーカーとの価格競争激化が背景にあり、各社はDDR5とHBM(High Bandwidth Memory) […]

2025年第1四半期、NANDフラッシュ市場は供給過剰により価格下落が続いた。しかし、最新の予測によれば、主要メーカーの減産、スマートフォン分野の在庫調整、そしてAI関連需要の増加により、2025年後半には需給バランスが […]

NVIDIAが、AI PCの普及を加速するため、新メモリ規格「SOCAMM」の開発を進めていることが明らかになった。Samsung、SK hynix、Micronといった主要メモリメーカーと協業し、小型ながら高性能なメモ […]

シカゴ大学の研究チームが、結晶中の原子レベルの欠陥を「1」と「0」として利用することで、わずか1ミリメートルサイズの結晶にテラバイト級のデータを保存する革新的な技術を開発した。量子技術に着想を得たこの技術は、従来のコンピ […]

SanDiskは、PCIe Gen5の限界速度を達成しつつ、消費電力を7Wに抑えた新型SSDを発表した。2025年第2四半期に発売予定のこのドライブは、ゲーマーやOEMから高い評価を得ることが期待されている。 驚異的な速 […]

3D NAND型フラッシュメモリの製造プロセスに革新が起ころうとしている。研究者らが開発した新しいプラズマエッチング技術により、製造効率が大幅に向上し、将来的にはSSDやメモリカードなどのストレージデバイスの高速化・大容 […]

KIOXIAが生成AIの回答精度向上と大規模データ処理に貢献するSSDソフトウェア技術「AiSAQ™」をオープンソースとして公開した。DRAM依存を軽減し、RAGシステムの効率と拡張性を高める革新的な取り組 […]