High-NA EUV露光装置

High-NA EUV露光装置は、従来のEUV（極紫外線）露光装置のレンズ開口数（NA）を0.33から0.55へと高めた次世代の半導体製造装置である。これにより、より微細な回路パターンの転写が可能となり、2nm世代やそれ以降の1.4nm、1nmといった超微細プロセスの実現に必須とされる。オランダのASMLが独占的に開発・製造しており、1台あたり数百億円という極めて高価な装置である。Rapidusはこの装置を導入することで、世界の最先端ファウンドリと競合可能な製造能力の確保を目指している。