終わりの見えないAIメモリ枯渇:Samsungが2027年の供給不足悪化を警告、消費者市場への波及は不可避に
Samsungの半導体部門はAI特需により営業利益が約48倍に急増したが、HBMなどの高利益製品への生産シフトのため、旧規格のLPDDR4の生産を終了した。この結果、2027年にはさらに供給ギャップが拡大し、スマートフォンやゲーム機など消費者向け製品の価格高騰が避けられない見通しだ。
別名: Z-Angle Memory, ZAM
Z-Angle Memory (ZAM) is a novel memory architecture being developed to address the power consumption and scaling limitations of traditional DRAM. It aims to provide high density and low energy usage, making it suitable for future AI and mobile applications.
Samsungの半導体部門はAI特需により営業利益が約48倍に急増したが、HBMなどの高利益製品への生産シフトのため、旧規格のLPDDR4の生産を終了した。この結果、2027年にはさらに供給ギャップが拡大し、スマートフォンやゲーム機など消費者向け製品の価格高騰が避けられない見通しだ。
AIのメモリの壁を打破するため、NEO Semiconductorが「3D X-DRAM」の概念実証に成功した。これは3D NANDの製造技術を転用し、モノリシックな立体構造でDRAMを製造する技術であり、既存のHBMの課題を解決し、容量、コスト、エネルギー効率を大幅に改善する。また、10ナノ秒未満の高速性と、JEDEC規格を15倍以上凌駕するデータ保持能力を持つ。
AIデータセンターの電力消費が臨界点に達しつつある。大規模言語モデル(LLM)の訓練や推論が爆発的に拡大するなか、GPUとメモリの間を往復するデータ転送が消費電力の主因となり、計算能力のスケーリングそのものにブレーキをか […]