テクノロジー
SamsungのHigh-NA EUV、1nm級A10世代から量産投入と報道：2nm・1.4nmは0.33NA中心
Samsungは2nm・1.4nmで0.33 NA EUVのマルチパターニングを軸にし、High-NA EUVは1nm級A10世代からの量産投入を目指すと報じられた。装置性能と工程認定の時期を分けて読む必要がある。
Term
A10
別名: サブ1nm, A10
Overview
最終更新: 2026年7月9日TSMCが「サブ1nm」世代として位置づける次世代プロセス。単一チップで2,000億トランジスタ、チップレット統合により1兆トランジスタの集積を目指している。2029年の試験生産、2030年以降の量産が目標とされている。
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