
テクノロジー
SamsungのHigh-NA EUV、1nm級A10世代から量産投入と報道:2nm・1.4nmは0.33NA中心
Samsungは2nm・1.4nmで0.33 NA EUVのマルチパターニングを軸にし、High-NA EUVは1nm級A10世代からの量産投入を目指すと報じられた。装置性能と工程認定の時期を分けて読む必要がある。
別名: Multi-patterning
半導体製造において、露光装置の解像限界を超える微細な回路パターンを形成するための技術。1つの回路層を形成するために、複数のマスクを使用して露光とエッチングを繰り返す(ダブルパターニング、クアッドパターニングなど)。ASML製のEUV(極端紫外線)露光装置が利用できない環境下で、既存のDUV(深紫外線)装置を用いて最先端ノードに近い微細化を実現するために不可欠な手法だが、工程数の増加によるコスト増と歩留まり低下が大きな課題となる。

Samsungは2nm・1.4nmで0.33 NA EUVのマルチパターニングを軸にし、High-NA EUVは1nm級A10世代からの量産投入を目指すと報じられた。装置性能と工程認定の時期を分けて読む必要がある。

上海Aishengnaが液浸DUV露光装置の量産を開始したと報じられた。ASMLの2026年出荷計画130台に対し年5台にとどまり、輸出規制強化MATCH Actの中で国産化を急ぐ中国の切迫感を映す動きだ。

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半導体製造最大手のTSMCが、2028年量産開始予定の次世代プロセスノード「A14」において、最先端とされるHigh-NA EUV(高開口数 極端紫外線)リソグラフィ技術の導入を見送る方針を明らかにした。コスト効率を最優 […]