韓国政府、次世代パワー半導体を「第2のDRAM」へ。5,000億ウォン超のR&Dプロジェクト始動
韓国政府は次世代パワー半導体を国家の重要課題に掲げ、官民で約7500億ウォンを投じる研究開発計画を始動させた。AIや電動化に伴う需要増を見据え、海外依存度の高い化合物半導体の国産化と量産技術の確立を急ぎ、第2のメモリ産業への育成を目指す。
別名: SiC, 炭化ケイ素, シリコンカーバイド
シリコンと炭素が1対1で結合した化合物半導体材料である。従来のシリコンに比べて絶縁破壊電界強度が約10倍、熱伝導率が約3倍と非常に優れた物理的特性を持つ。これにより、電力損失の大幅な低減とデバイスの小型化が可能になるため、電気自動車(EV)のインバーターや鉄道車両、産業機器などの高電圧・大電流を扱うパワーエレクトロニクス分野で急速に普及が進んでいる。一方で、高品質な単結晶の製造コストが高いという課題も抱えている。
韓国政府は次世代パワー半導体を国家の重要課題に掲げ、官民で約7500億ウォンを投じる研究開発計画を始動させた。AIや電動化に伴う需要増を見据え、海外依存度の高い化合物半導体の国産化と量産技術の確立を急ぎ、第2のメモリ産業への育成を目指す。
半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。
フリンダース大学とハリファ大学の共同研究チームは、次世代半導体材料の探索におけるボトルネックを打破するため、ベイズ最適化を用いた「スマート材料発見エンジン」を開発した。このエンジンは、膨大な化学空間からガリウムベースの新規半導体を効率的に逆設計し、特定のバンドギャップを持つ材料を高速で特定可能であり、材料科学に新たなパラダイムをもたらす。
データセンターの電力密度が急増し、従来のシリコン半導体では対応しきれない課題に対し、オークリッジ国立研究所がロームのGaN半導体デバイスを用いた標準化モジュールを開発した。このモジュールは、GaNの高速スイッチング性能を阻害する寄生インダクタンスの問題を解決し、AIデータセンターやEVなど多様な用途で高効率・高電力密度を実現する共通解となる。
現代のエレクトロニクスが直面している最大の障壁、それは当サイトでも何度もご紹介しているように、「熱」である。人工知能(AI)を支える巨大なデータセンター、次世代通信規格5Gのインフラ、そして高性能なレーダーシステムに至る […]
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