テクノロジー
酸化ガリウム、6インチエピタキシャルウェハの量産供給へ Garen Semiconductorが8インチ対応ラインを整備
Hangzhou Garen Semiconductorが、6インチおよび8インチの酸化ガリウム・ホモエピタキシャルウェハの量産体制を整え、主要メーカーへの納入を開始した。独自の結晶成長技術により、大口径化と膜厚の均一性を両立させ、大幅なコスト低減と産業化を加速させる。
別名: Ga2O3
ガリウムの酸化物であり、窒化ガリウム(GaN)やシリコンカーバイド(SiC)を上回る広いバンドギャップを持つ超ワイドバンドギャップ半導体。非常に高い電圧に耐えられる特性を持ち、電力網の制御や電気鉄道、電気自動車などの過酷な環境下で作動するパワーデバイスへの応用が研究されている。低コストな単結晶基板の製造が可能である点も注目されている。
Hangzhou Garen Semiconductorが、6インチおよび8インチの酸化ガリウム・ホモエピタキシャルウェハの量産体制を整え、主要メーカーへの納入を開始した。独自の結晶成長技術により、大口径化と膜厚の均一性を両立させ、大幅なコスト低減と産業化を加速させる。

次世代半導体として期待される窒化アルミニウムは、優れた耐電圧性と放熱性を両立するが、高品質な単結晶の製造が困難であった。東北大学の研究グループは、熱力学的駆動力を極限まで制御する手法により、安価な原料から直接単結晶を成長させることに成功した。

フリンダース大学とハリファ大学の共同研究チームは、次世代半導体材料の探索におけるボトルネックを打破するため、ベイズ最適化を用いた「スマート材料発見エンジン」を開発した。このエンジンは、膨大な化学空間からガリウムベースの新規半導体を効率的に逆設計し、特定のバンドギャップを持つ材料を高速で特定可能であり、材料科学に新たなパラダイムをもたらす。