
サイエンス
次世代EVの熱問題を過去にするか。安価なアルミから「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」基板を直接育てる新技術を東北大学が開発
次世代半導体として期待される窒化アルミニウムは、優れた耐電圧性と放熱性を両立するが、高品質な単結晶の製造が困難であった。東北大学の研究グループは、熱力学的駆動力を極限まで制御する手法により、安価な原料から直接単結晶を成長させることに成功した。
別名: AlN
高い熱伝導率と電気絶縁性を併せ持つ化合物半導体材料。圧電効果(電圧を加えると変形する性質)が強いため、高周波のバルク弾性波フィルタやマイクロ電気機械システム(MEMS)のアクチュエータとして広く利用される。本研究では、光導波路を高速で振動させるための駆動部として採用された。

次世代半導体として期待される窒化アルミニウムは、優れた耐電圧性と放熱性を両立するが、高品質な単結晶の製造が困難であった。東北大学の研究グループは、熱力学的駆動力を極限まで制御する手法により、安価な原料から直接単結晶を成長させることに成功した。

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