0a DRAM

DRAMの微細化ロードマップにおいて、10nm級（1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c, 1d）の次に来る、10nmの壁を突破した世代を指す。具体的には9nm台のプロセスルールを想定しており、従来の露光技術や材料では実現が困難な領域である。Samsungはこの世代において、垂直チャネルトランジスタや新材料の導入により、さらなる高集積化と低消費電力化を目指している。